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高通公司首席执行官：苹果对基带芯片收取10亿美元的费用_我的网站

A |     8月24日消息，据Wccftech报道，SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入EMIB封装方案，并明确将3D集成作为长期目标。     当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。1月12日：高通公司之前被指控反垄断。路透社今天报道，高通公司首席执行官史蒂夫莫伦科普夫（Steve Mollenkopf）周五在美国举行的一次反垄断监管机构听证会上表示，苹果要求获得10亿美元的“奖金”，以使高通公司成为苹果iPhone的调制解调器芯片供应商。据了解，这10亿美元是2011年苹果与高通公司达成的协议的一部分，旨在降低用高通产品替换当时的iPhone芯片的技术成本。Morenkov还表示，10亿美元的付款是高通公司成为苹果称之为调制解调器芯片的唯一供应商的原因之一。HBM与计算模块（XPU，涵盖GPU、TPU等）相互独立，通过2.5D封装共同安装于同一中介层。    

    每个HBM模块配备1024位I/O接口（共16通道），通过物理接口层（PHY）与XPU相连。而下一代HBM4将首次将I/O接口扩展至2048位，这将是自2015年HBM问世以来的最大规格变革。     在封装工艺上，目前主要存在两大技术路径：热压键合配合非导电膜（TC+NCF）和整体回流焊配合模塑底部填充（MR+MUF）。

B | 前者在应对芯片翘曲方面更具优势，但热阻较高且生产效率偏低；后者生产效率更高、热阻更低，却更易出现翘曲及间隙填充缺陷。根据2011年的协议，高通公司成为苹果公司调制解调器芯片的独家供应商。    

    面向未来，SK海力士计划引入混合键合技术，以消除芯片堆叠中的凸块并缩小间距。

C | 同时，公司正在开发名为“I-HBM”的局部散热技术（类似三星的HPB方案），旨在优化传热路径，更高效地分散热量，为更高层数的堆叠铺路。    在2.5D封装解决方案方面，SK海力士目前已在传统CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S之外，新增了英特尔的EMIB技术，形成更丰富的异构集成选项。     此外，市场传言SK海力士与英特尔有望在存储领域组建合资公司，进一步深化合作。同时，与三星类似，SK海力士也在积极推进3D垂直堆叠方案，将HBM直接置于计算模块之上，以突破现有封装架构的带宽和能效瓶颈。    

         

。高通公司同意向苹果提供折扣（具体性质尚未公布），如果选择其他供应商，苹果将失去折扣，这将增加芯片的成本。反垄断机构认为，与苹果的交易是高通公司反竞争行为模式的一部分，以保持其在现代芯片领域的主导地位，并排除英特尔等竞争对手。根据早先的信息，一位苹果高管在联邦贸易委员会（Federal Trade Commission）面前作证，证明自己是高通公司垄断案的证人，并表示苹果正考虑为三星（Samsung）、MediaCorp和现有供应商英特尔（Intel）提供2019款iPhone。

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Published on:03:04:02